A comprehensive physics-based power MOSFET model in VHDL-AMS for circuit simulations uri icon Tagungsband

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Veröffentlichungszeitpunkt

  • 2011

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  • englisch

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Forschung

Schlagwörter

  • Device modeling
  • Equations
  • Integrated circuit modeling
  • Logic gates
  • MOS device
  • MOSFET
  • Mathematical model
  • Numerical models
  • Power MOSFET
  • Power semiconductor device
  • Simulation

Identität

Internationale Standardbuchnummer (ISBN) 10

  • 1612841678

Anderes

Kuratierungs-Zielkategorie (intern)

  • Ja