Strained isolation oxide as novel overall stress element for Tri-Gate transistors of 22nm CMOS and beyond Tagungsband uri icon

Überblick

Veröffentlichungszeitpunkt

  • 2012

Autor/in (verknüpft)

  • Baldauf, Tim  Professor für Theoretische Elektrotechnik / Optoelektronik

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Sprachen

  • englisch

Beteiligte Organisationen

  • Fakultät Elektrotechnik

Forschung

Schlagwörter

  • Logic gates
  • MOS devices
  • Stress

Identität

Internationale Standardbuchnummer (ISBN) 13

  • 1467317152