Effect of source/drain extension dopant species on device performance of non-diffuse embedded SiGe strained SOI P-MOSFETs. Wissenschaftlicher Artikel uri icon

Überblick

Autor/in (verknüpft)

  • Stenzel, Roland  Professor für Grundlagen der Theoretischen Elektrotechnik

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Sprachen

  • deutsch

Beteiligte Organisationen

  • Fakultät Elektrotechnik; Zentrum für angewandte Forschung und Technologie e. V.