Influence of Ionization Modelling for Mg-doped GaN on Transfer and Breakdown Characteristics of Vertical GaN-MOSFET uri icon Konferenz-Paper

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Überblick

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AutorInnen

  • Weigel, Martin
  • Stenzel, Roland
  • Klix, Wilfried
  • Hentschel, Rico
  • Wachowiak, Andre
  • Mikolajick, Thomas

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

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Sprachen

  • deutsch

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Kuratierungs-Zielkategorie (intern)

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