Autor/in (verknüpft)
- Stenzel, Roland Professor für Grundlagen der Theoretischen Elektrotechnik
Influence of Ionization Modelling for Mg-doped GaN on Transfer and Breakdown Characteristics of Vertical GaN-MOSFET
Konferenz-Paper
Überblick
Open-Access-Kennzeichnung
- Closed Access
Sprachen
- deutsch
Beteiligte Organisationen
- Fakultät Elektrotechnik