Bauelementesimulation zum Entwurf eines vertikalen GaN-MOSFET mit einer Durchbruchspannung von 1 kV Kapitel uri icon

Überblick

Veröffentlichungszeitpunkt

  • 2015

Autor/in (verknüpft)

  • Stenzel, Roland  Professor für Grundlagen der Theoretischen Elektrotechnik

Open-Access-Kennzeichnung

  • Open Access

Sprachen

  • deutsch

Beteiligte Organisationen

  • Fakultät Elektrotechnik

Konferenz/Event

  • Nachwuchswissenschaftlerkonferenz

Konferenz/Event-Datum

  • 20150416

Konferenz/Event-Ort

  • HTW Berlin

Identität

Internationale Standardbuchnummer (ISBN) 13

  • 9783830520443