Bauelementesimulation zum Entwurf eines vertikalen GaN-MOSFET mit einer Durchbruchspannung von 1 kV uri icon Kapitel

Open Access

Überblick

Freigegeben

  • Ja

Veröffentlichungszeitpunkt

  • 2015

Open-Access-Kennzeichnung

  • Open Access

Peer Reviewed

  • Nein

Sprachen

  • deutsch

Im Bibliotheksbestand

  • Nein

Konferenz/Event

  • Nachwuchswissenschaftlerkonferenz

Konferenz/Event-Datum

  • 16.04.2015

Konferenz/Event-Ort

  • HTW Berlin

Identität

Internationale Standardbuchnummer (ISBN) 13

  • 9783830520443

weitere Informationen zum Dokument

Erscheinungsort

  • Berlin

Anderes

Kuratierungs-Zielkategorie (intern)

  • Ja